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8102404VA

更新时间: 2024-01-27 17:46:52
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英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
7页 44K
描述
1024 x 4 CMOS RAM

8102404VA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC18,.3X.35Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:220 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQCC-N18JESD-609代码:e0
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:18
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC18,.3X.35
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.000025 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.007 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

8102404VA 数据手册

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HM-6514  
Functional Diagram  
A
A
LSB A9  
A8  
6
LATCHED  
ADDRESS  
REGISTER  
GATED  
ROW  
DECODER  
A7  
A6  
A5  
64 x 64  
MATRIX  
64  
A4  
6
L
L
G
16 16 16 16  
LSB A2  
A1  
A
GATED  
COLUMN  
I/O SELECT  
LATCHED  
ADDRESS  
REGISTER  
4
A0  
A3  
A
4
G
4
1 OF 4  
E
W
DQ  
6-2  

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