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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 4KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.0004 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.0045 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 8102409VA | ETC | x1 SRAM |
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| 810251AGILF | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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| 810251AGILFT | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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| 810251I | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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| 810252AGILF | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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| 810252AGILFT | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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