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74LVT04DB-Q100

更新时间: 2024-11-13 14:49:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 信息通信管理光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 131K
描述
IC INVERT GATE, Gate

74LVT04DB-Q100 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SSOP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.61系列:LVT
JESD-30 代码:R-PDSO-G14长度:6.2 mm
逻辑集成电路类型:INVERTER功能数量:6
输入次数:1端子数量:14
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
传播延迟(tpd):4.7 ns筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:5.3 mmBase Number Matches:1

74LVT04DB-Q100 数据手册

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74LVT04-Q100  
3.3 V Hex inverter  
Rev. 1 — 26 May 2014  
Product data sheet  
1. General description  
The 74LVT04-Q100 is a high-performance product designed for VCC operation at 3.3 V.  
The 74LVT04-Q100 provides six inverting buffers.  
This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard  
Q100 (Grade 3) and is suitable for use in automotive applications.  
2. Features and benefits  
Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 3)  
Specified from 40 C to +85 C  
TTL input and output switching levels  
Latch-up protection  
JESD78 class II exceeds 500 mA  
ESD protection:  
MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V  
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V  
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V (C = 200 pF, R = 0 )  
Specified from 40 C to +85 C  
3. Ordering information  
Table 1.  
Ordering information  
Type number  
Package  
Temperature range Name  
Description  
Version  
74LVT04D-Q100  
40 C to +85 C  
SO14  
plastic small outline package; 14 leads; body width SOT108-1  
3.9 mm  
74LVT04DB-Q100 40 C to +85 C  
74LVT04PW-Q100 40 C to +85 C  
SSOP14  
plastic shrink small outline package; 14 leads; body SOT337-1  
width 5.3 mm  
TSSOP14 plastic thin shrink small outline package; 14 leads;  
body width 4.4 mm  
SOT402-1  

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