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74LVT10DB

更新时间: 2024-09-24 22:36:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
10页 83K
描述
3.3V Triple 3-input NAND gate

74LVT10DB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SSOP
包装说明:5.30 MM, PLASTIC, SSOP-14针数:14
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.81Is Samacsys:N
系列:LVTJESD-30 代码:R-PDSO-G14
JESD-609代码:e4长度:6.2 mm
负载电容(CL):50 pF逻辑集成电路类型:NAND GATE
最大I(ol):0.032 A湿度敏感等级:1
功能数量:3输入次数:3
端子数量:14最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SSOP封装等效代码:SSOP14,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
最大电源电流(ICC):2 mAProp。Delay @ Nom-Sup:5.2 ns
传播延迟(tpd):4.4 ns认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO座面最大高度:2 mm
子类别:Gates最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:5.3 mmBase Number Matches:1

74LVT10DB 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
74LVT10  
3.3V Triple 3-input NAND gate  
Product specification  
IC24 Data Handbook  
1996 May 29  
Philips  
Semiconductors  

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