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74LVC1G38GF,132

更新时间： 2024-11-18 17:33:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 232K
描述
74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain SON 6-Pin

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74LVC1G38GF,132 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SON包装说明：VSON, SOLCC6,.04,14
针数：6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.59
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e3长度：1 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.024 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：2
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSON
封装等效代码：SOLCC6,.04,14封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：5.7 ns传播延迟（tpd）：12.5 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.5 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.35 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1 mmBase Number Matches：1

74LVC1G38GF,132 数据手册

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74LVC1G38  
2-input NAND gate; open drain  
Rev. 7 — 4 October 2012  
Product data sheet  
1. General description  
The 74LVC1G38 provides a 2-input NAND function.  
Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this  
device as translator in a mixed 3.3 V and 5 V environment.  
This device is fully specified for partial power-down applications using IOFF. The IOFF  
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through the device  
when it is powered down.  
2. Features and benefits  
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V  
5 V tolerant outputs for interfacing with 5 V logic  
High noise immunity  
Complies with JEDEC standard:  
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)  
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)  
JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).  
ESD protection:  
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V  
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V  
24 mA output drive (VCC = 3.0 V)  
CMOS low power consumption  
Open drain outputs  
Latch-up performance exceeds 250 mA  
Direct interface with TTL levels  
Inputs accept voltages up to 5 V  
Multiple package options  
Specified from 40 C to +125 C.  
 
 
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