是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TSSOT |
包装说明: | 1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT353-1, TSSOP-5 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.16 | 系列: | LVC/LCX/Z |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G5 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 2.05 mm | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 最大I(ol): | 0.024 A |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
输入次数: | 2 | 端子数量: | 5 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP5/6,.08 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | Prop。Delay @ Nom-Sup: | 5.7 ns |
传播延迟(tpd): | 12.5 ns | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 1.25 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
74LVC1G38GW-Q100 | NEXPERIA |
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2-input NAND gate; open drain | |
74LVC1G38GW-Q100,125 | NXP |
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NAND Gate, LVC/LCX/Z Series, 1-Func, 2-Input, CMOS, PDSO5 | |
74LVC1G38GW-Q100H | NXP |
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74LVC1G38-Q100 - 2-input NAND gate; open drain TSSOP 5-Pin | |
74LVC1G38GX | NEXPERIA |
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2-input NAND gate; open drainProduction | |
74LVC1G38-Q100 | NEXPERIA |
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2-input NAND gate; open drain | |
74LVC1G53 | NXP |
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2-channel analog multiplexer/demultiplexer | |
74LVC1G53_08 | NXP |
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2-channel analog multiplexer/demultiplexer | |
74LVC1G53DC | NXP |
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2-channel analog multiplexer/demultiplexer | |
74LVC1G53DC | NEXPERIA |
获取价格 |
2-channel analog multiplexer/demultiplexerProduction | |
74LVC1G53DC-Q100 | NEXPERIA |
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2-channel analog multiplexer/demultiplexer |