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74LVC1G10GM,115 PDF预览

74LVC1G10GM,115

更新时间： 2024-11-05 14:27:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 118K
描述
74LVC1G10 - Single 3-input NAND gate SON 6-Pin

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74LVC1G10GM,115 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SON包装说明：VSON, SOLCC6,.04,20
针数：6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.49
Is Samacsys：N系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e3
长度：1.45 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.024 A
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：3端子数量：6
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSON
封装等效代码：SOLCC6,.04,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：6.2 ns传播延迟（tpd）：21.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：0.5 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：2.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1 mm
Base Number Matches：1

74LVC1G10GM,115 数据手册

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74LVC1G10  
Single 3-input NAND gate  
Rev. 3 — 8 December 2011  
Product data sheet  
1. General description  
The 74LVC1G10 provides a low-power, low-voltage single 3-input NAND gate.  
The inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of  
this device in a mixed 3.3 V and 5 V environment.  
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall  
time.  
This device is fully specified for partial power-down applications using IOFF  
.
The IOFF circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through  
the device when it is powered down.  
2. Features and benefits  
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V  
High noise immunity  
Complies with JEDEC standard:  
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)  
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)  
JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).  
24 mA output drive (VCC = 3.0 V)  
CMOS low power consumption  
Latch-up performance exceeds 250 mA  
Direct interface with TTL levels  
Inputs accept voltages up to 5 V  
ESD protection:  
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V  
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V  
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V  
Multiple package options  
Specified from 40 C to +85 C and 40 C to +125 C  
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
74LVC1G10GN NEXPERIA

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 		Single 3-input NAND gateProduction
74LVC1G10GN NXP

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 		LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
74LVC1G10GN,132 NXP

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 		74LVC1G10 - Single 3-input NAND gate SON 6-Pin
74LVC1G10GS NXP

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 		LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, PDSO6, 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6
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