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74AUP2G02GM,125 PDF预览

74AUP2G02GM,125

更新时间： 2024-01-30 07:09:16
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
17页 83K
描述
74AUP2G02 - Low-power dual 2-input NOR gate QFN 8-Pin

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74AUP2G02GM,125 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：VQCCN,针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.44
Samacsys Description：74AUP2G02 - Low-power dual 2-input NOR gate@en-us系列：AUP/ULP/V
JESD-30 代码：S-PQCC-N8JESD-609代码：e4
长度：1.6 mm逻辑集成电路类型：NOR GATE
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260传播延迟（tpd）：24.7 ns
座面最大高度：0.5 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.8 V标称供电电压 (Vsup)：1.1 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.6 mm

74AUP2G02GM,125 数据手册

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74AUP2G02  
NXP Semiconductors  
Low-power dual 2-input NOR gate  
Table 7.  
Static characteristics …continued  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Tamb = −40 °C to +85 °C  
VIH  
HIGH-level input voltage  
VCC = 0.8 V  
0.70 × VCC  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
VCC = 0.8 V  
0.65 × VCC  
-
1.6  
-
2.0  
-
VIL  
LOW-level input voltage  
-
-
-
-
0.30 × VCC  
0.35 × VCC  
0.7  
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
0.9  
VOH  
HIGH-level output voltage VI = VIH or VIL  
IO = −20 µA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
V
CC − 0.1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
IO = −1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = −1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = −1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = −2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = −3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = −2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = −4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VI = VIH or VIL  
0.7 × VCC  
1.03  
1.30  
1.97  
1.85  
2.67  
2.55  
VOL  
LOW-level output voltage  
IO = 20 µA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
IO = 1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = 1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = 1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VI = GND to 3.6 V; VCC = 0 V to 3.6 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
V
0.3 × VCC  
0.37  
0.35  
0.33  
0.45  
0.33  
0.45  
±0.5  
±0.5  
±0.6  
V
V
V
V
V
V
V
II  
input leakage current  
µA  
µA  
µA  
IOFF  
∆IOFF  
power-off leakage current VI or VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
additional power-off  
leakage current  
VI or VO = 0 V to 3.6 V;  
CC = 0 V to 0.2 V  
V
ICC  
supply current  
VI = GND or VCC; IO = 0 A;  
CC = 0.8 V to 3.6 V  
-
-
-
-
0.9  
50  
µA  
µA  
V
[1]  
∆ICC  
additional supply current  
VI = VCC − 0.6 V; IO = 0 A;  
CC = 3.3 V  
V
74AUP2G02_3  
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 03 — 11 December 2008  
6 of 17  
1...3456789...17

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