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74AUP1G07GM

更新时间： 2024-01-18 09:27:00

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恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	84K
描述
Low-power buffer with open-drain output

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74AUP1G07GM 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSSOT	包装说明：	TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2.05 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	BUFFER
最大I（ol）：	0.0017 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP5/6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.2/3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	13 ns
传播延迟（tpd）：	20.7 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G07GM 数据手册

74AUP1G07

NXP Semiconductors

Low-power buffer with open-drain output

Table 8.

Dynamic characteristics …continued

Voltages are referenced to GND (ground = 0 V); for test circuit see Figure 8.

Symbol Parameter

Conditions

25 °C

−40 °C to +125 °C

Unit

Min

Typ^[1]

Max

Min

Max

(85 °C) (125 °C)

[2]

t_pd

propagation delay A to Y; see Figure 7

V_CC= 0.8 V

24.6

9.0

6.7

6.8

5.2

6.4

V_CC= 1.1 V to 1.3 V

V_CC= 1.4 V to 1.6 V

V_CC= 1.65 V to 1.95 V

V_CC= 2.3 V to 2.7 V

V_CC= 3.0 V to 3.6 V

4.8

4.1

3.8

3.7

3.6

15.6

9.4

9.7

6.7

9.7

4.3

3.7

3.2

3.0

2.8

18.8

11.8

11.0

7.1

20.7

13.0

12.1

7.8

10.4

11.4

74AUP1G07_2

Product data sheet

Rev. 02 — 14 June 2007

8 of 16

1...5 6 789 10 11...16

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