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Datasheet > 驱动程序和接口 > 线路驱动器或接收器> 74AUP1G07GM
74AUP1G07GM PDF预览

74AUP1G07GM

更新时间： 2024-01-11 14:24:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 84K
描述
Low-power buffer with open-drain output

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74AUP1G07GM 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅：不含铅
是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSSOT包装说明：TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.17Is Samacsys：N
系列：AUP/ULP/VJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e3长度：2.05 mm
负载电容（CL）：30 pF逻辑集成电路类型：BUFFER
最大I（ol）：0.0017 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：1
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP5/6,.08封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：13 ns
传播延迟（tpd）：20.7 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.8 V标称供电电压 (Vsup)：1.1 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

74AUP1G07GM 数据手册

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74AUP1G07  
NXP Semiconductors  
Low-power buffer with open-drain output  
10. Static characteristics  
Table 7.  
Static characteristics  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Tamb = 25 °C  
VIH  
HIGH-level input voltage  
VCC = 0.8 V  
0.70 × VCC  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
VCC = 0.8 V  
0.65 × VCC  
-
1.6  
-
2.0  
-
VIL  
LOW-level input voltage  
-
-
-
-
0.30 × VCC  
0.35 × VCC  
0.7  
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
0.9  
VOL  
LOW-level output voltage VI = VIH or VIL  
IO = 20 µA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
V
IO = 1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = 1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = 1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VI = GND to 3.6 V; VCC = 0 V to 3.6 V  
0.3 × VCC  
0.31  
0.31  
0.31  
0.44  
0.31  
0.44  
±0.1  
±0.1  
V
V
V
V
V
V
V
II  
input leakage current  
µA  
µA  
IOZ  
OFF-state output current  
VI = VIH; VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
to 3.6 V  
IOFF  
power-off leakage current VI or VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
-
-
-
-
±0.2  
±0.2  
µA  
µA  
∆IOFF  
additional power-off  
leakage current  
VI or VO = 0 V to 3.6 V;  
CC = 0 V to 0.2 V  
V
ICC  
supply current  
VI = GND or VCC; IO = 0 A;  
CC = 0.8 V to 3.6 V  
-
-
0.5  
µA  
V
∆ICC  
CI  
additional supply current  
input capacitance  
VI = VCC − 0.6 V; IO = 0 A; VCC = 3.3 V  
VCC = 0 V to 3.6 V; VI = GND or VCC  
output enabled; VO = GND; VCC = 0 V  
output disabled; VO = GND; VCC = 0 V  
-
-
-
-
-
40  
-
µA  
pF  
pF  
pF  
0.8  
1.7  
1.1  
CO  
output capacitance  
-
-
Tamb = −40 °C to +85 °C  
VIH HIGH-level input voltage  
VCC = 0.8 V  
0.70 × VCC  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
VCC = 0.8 V  
0.65 × VCC  
-
1.6  
-
2.0  
-
VIL  
LOW-level input voltage  
-
-
-
-
0.30 × VCC  
0.35 × VCC  
0.7  
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
0.9  
74AUP1G07_2  
© NXP B.V. 2007. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 02 — 14 June 2007  
5 of 16  
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