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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X11 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 11 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 1500 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI50J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50L-060 | FUJI |
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IGBT(600V 50A) |
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| 6MBI50L-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) |
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| 6MBI50PC-120 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI50PC-120L | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI50S-060 | ETC |
获取价格 |
6 PACK IGBT |
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| 6MBI50S-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V/50A) |
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| 6MBI50S-120L | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V/6x50A) |
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| 6MBI50S-140 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
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