生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 50 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | JESD-30 代码: | R-XUFM-X21 |
元件数量: | 6 | 端子数量: | 21 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 530 ns | 标称接通时间 (ton): | 390 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
6MBI75VA-120-50 | FUJI |
完全替代 ![]() |
IGBT MODULE |
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6MBI100VA-120-50 | FUJI |
完全替代 ![]() |
IGBT MODULE |
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6MBI100VA-060-50 | FUJI |
完全替代 ![]() |
IGBT MODULE |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6MBI50VW-060-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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6MBI50VW-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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6MBI550V-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 550A / 6 in one package |
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6MBI75-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES |
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6MBI75F-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V 75A) |
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6MBI75FA060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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6MBI75FA-060 | ETC |
获取价格 |
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|
6MBI75J060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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6MBI75L060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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6MBI75L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V/75A) |
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