Datasheet > 晶体管 > IGBT> 6MBI50S-120L

6MBI50S-120L

更新时间： 2024-09-23 22:45:43

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
IGBT(1200V/6x50A)

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6MBI50S-120L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数：	17	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X17
元件数量：	6	端子数量：	17
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	450 ns
标称接通时间 (ton)：	600 ns	Base Number Matches：	1

6MBI50S-120L 数据手册

6-Pack IGBT

1200V

6MBI 50S-120L

6x50A

IGBT MODULE ( S-Series )

n Outline Drawing

n Features

• NPT-Technologie

• Solderable Package

• Square SC SOA at 10 x I_C

• High Short Circuit Withstand-Capability

• Small Temperature Dependence of the Turn-Off

Switching Loss

• Low Losses And Soft Switching

n Applications

• High Power Switching

• A.C. Motor Controls

• D.C. Motor Controls

• Uninterruptible Power Supply

n Maximum Ratings and Characteristics

n Equivalent Circuit

• Absolute Maximum Ratings ( T_c=25°C)

Items

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

Symbols

Ratings

1200

Units

V_CES

V_GES

Continuous

1ms

Continuous

1ms

I_C

75 / 50

150 / 100

75 / 50

150 / 100

350

+150

-40 ^~+125

2500

Collector

Current (25°C / 80°C)

I_{C PULSE}

-I_C

-I_{C PULSE}

P_C

T_j

T_stg

V_is

Max. Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

°C

A.C. 1min.

Screw Torque

Mounting *1

3.5

Note: *1:Recommendable Value; 2.5 3.5 Nm (M5)

• Electrical Characteristics ( at T_j=25°C )

Items

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leackage Current

Gate-Emitter Threshold Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Input capacitance

Symbols

I_CES

I_GES

V_GE(th)

V_CE(sat)

C_ies

C_oes

C_res

t_ON

t_r

t_OFF

t_f

V_F

t_rr

Test Conditions

V_GE=0V V_CE=1200V

Min.

Typ.

Max.

1.0

200

9.0

Units

µA

V_CE=0V V_GE

20V

V_GE=20V I_C=50mA

V_GE=15V I_C=50A

V_GE=0V

V_CE=10V

f=1MHz

6.0

2.1

6000

Output capacitance

Reverse Transfer capacitance

V_CC=600V

I_C=50A

0.60

0.40

0.45

0.10

1.2

0.6

1.0

0.3

3.3

350

Turn-on Time

Turn-off Time

µs

V_GE

15V

R_G=24^W

I_F=50A V_GE=0V

I_F=50A

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

• Thermal Characteristics

Items

Symbols

R_th(j-c)

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

0.35

0.70

Units

IGBT

Diode

With Thermal Compound

Thermal Resistance

°C/W

R_th(c-f)

0.05

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6MBI50S-120L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FS75R12KE3G	INFINEON	功能相似	EconoPACK?3?1200 V, 75 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IG
FS100R12KE3	INFINEON	功能相似	EconoPACK? 3 1200 V, 100 A sixpack IGBT module with TRENCHSTOP? IGBT3 and NTC.

与6MBI50S-120L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
6MBI50S-140	FUJI	获取价格	IGBT Module
6MBI50S-140_01	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
6MBI50S-I20	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN
6MBI50U4A-120	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
6MBI50U4A-120-50	FUJI	获取价格	6-Pack(6 in 1) M636
6MBI50UA-120	ETC	获取价格	1200V / 50A 6 in one-package
6MBI50VA-060-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE (V series) 600V / 50A / 6 in one package
6MBI50VA-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
6MBI50VW-060-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
6MBI50VW-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE

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