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6MBI50UA-120

更新时间： 2024-01-22 16:51:44
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5页 122K
描述
1200V / 50A 6 in one-package

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6MBI50UA-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X28针数：28
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X28
元件数量：6端子数量：28
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：370 ns标称接通时间 (ton)：360 ns
Base Number Matches：1

6MBI50UA-120 数据手册

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6MBI50UA-120  
1200V / 50A 6 in one-package  
IGBT Module U-Series  
Features  
· High speed switching  
Applications  
· Uninterruptible power supply  
· Inverter for Motor drive  
· Voltage drive  
· Industrial machines, such as Welding machines  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Low inductance module structure  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Conditions  
Rating  
1200  
Unit  
V
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltaga  
Collector current  
±20  
75  
V
Continuous  
1ms  
A
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
50  
150  
ICp  
100  
50  
-IC  
100  
-IC pulse  
PC  
1 device  
AC:1min.  
275  
W
°C  
Collector Power Dissipation  
+150  
-40 to +125  
2500  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature  
Tstg  
VAC  
N·m  
Isolation voltage between terminal and copper base *1  
between thermistor and others *2  
Viso  
3.5  
Screw Torque  
Mounting *3  
-
*1 : All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
*2 : Two thermistor terminals should be connected together, each other terminals should be connected together and shorted  
to base plate when isolation test will be done.  
*3 :Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m(M5)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbols Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
1.0  
200  
8.5  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
ICES  
–
–
4.5  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
VGE=0V, VCE=1200V  
mA  
nA  
V
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
(terminal)  
VCE(sat)  
(chip)  
Cies  
–
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=50mA  
VGE=15V, IC=50A  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
6.5  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
2.00  
2.25  
1.75  
2.00  
6
2.35  
–
V
2.10  
–
Input capacitance  
Turn-on time  
–
VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz  
VCC=600V  
nF  
µs  
ton  
0.36  
0.21  
0.03  
0.37  
0.07  
1.85  
1.95  
1.60  
1.70  
–
1.20  
0.60  
–
tr  
IC=50A  
tr(i)  
VGE=±15V  
Turn-off time  
toff  
1.00  
0.30  
2.15  
–
RG=22 Ω  
tf  
Forward on voltage  
Tj=25°C  
VF  
VGE=0V  
IF=50A  
V
Tj=125°C  
Tj=25°C  
(terminal)  
VF  
1.90  
–
Tj=125°C  
(chip)  
trr  
Reverse recovery time  
Lead resistance, terminal-chip*4  
Resistance  
0.35  
–
IF=50A  
µs  
mΩ  
Ω
R lead  
R
4.1  
5000  
–
T=25°C  
465  
3305  
495  
520  
3450  
T=100°C  
T=25/50°C  
B value  
B
3375  
Κ
*4:Biggest internal terminal resistance among arm.  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
–
–
–
–
0.45  
0.73  
–
IGBT  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
°C/W  
–
FWD  
Rth(j-c)  
°C/W  
°C/W  
0.05  
With thermal compound  
Contact Thermal resistance  
Rth(c-f)*5  
*5 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
6MBI50VA-060-50 FUJI

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 		IGBT MODULE (V series) 600V / 50A / 6 in one package
6MBI50VA-120-50 FUJI

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 		IGBT MODULE
6MBI50VW-060-50 FUJI

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 		IGBT MODULE
6MBI50VW-120-50 FUJI

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 		IGBT MODULE
6MBI550V-120-50 FUJI

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