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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI50J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50L-060 | FUJI |
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IGBT(600V 50A) |
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| 6MBI50L-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V 50A) |
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| 6MBI50PC-120 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI50PC-120L | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI50S-060 | ETC |
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6 PACK IGBT |
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| 6MBI50S-120 | FUJI |
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IGBT(1200V/50A) |
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| 6MBI50S-120L | FUJI |
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IGBT(1200V/6x50A) |
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| 6MBI50S-140 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
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| 6MBI50S-140_01 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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