5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D17 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 17 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI50PC-120L | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| 6MBI50S-060 | ETC |
获取价格 |
6 PACK IGBT |
|
| 6MBI50S-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V/50A) |
|
| 6MBI50S-120L | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V/6x50A) |
|
| 6MBI50S-140 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| 6MBI50S-140_01 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI50S-I20 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN |
|
| 6MBI50U4A-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI50U4A-120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M636 |
|
| 6MBI50UA-120 | ETC |
获取价格 |
1200V / 50A 6 in one-package |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
