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5STB24N2800

更新时间： 2024-02-13 05:37:02

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ABB		栅极三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
5页	172K
描述
Bi-Directional Control Thyristor

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5STB24N2800 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	400 mA	最大直流栅极触发电压：	2.6 V
快速连接描述：	2G-2K	螺丝端子的描述：	0
最大维持电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-CEDB-X6
通态非重复峰值电流：	46000 A	元件数量：	1
端子数量：	6	最大通态电流：	2430000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	3680 A	重复峰值反向电压：	2800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

5STB24N2800 数据手册

V_SM

I_TAVM

I_TRMS

I_TSM

V_T0

2800 V

2430 A

3820 A

Bi-Directional Control Thyristor

5STB 24N2800

= 43000 A

0.85 V

0.160

r_T

mΩ

Doc. No. 5SYA1041-03 Sep. 01

• Two thyristors integrated into one wafer

• Patented free-floating silicon technology

• Designed for traction, energy and industrial applications

• Optimum power handling capability

• Interdigitated amplifying gate.

The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device.

Blocking

Conditions

Part Number

5STB 24N2800

5STB 24N2600

5STB 24N2200

V_SM

V_RM

I_SM

I_RM

dV/dt_crit

3000 V

2800 V

2600 V

≤ 400 mA

1000 V/µs

2400 V

2200 V

f = 5 Hz, t_p= 10ms

f = 50 Hz,t_p= 10ms

V_SM

V_RM

@ Exp. to 0.67xV_SM

T_j= 125°C

V_RMis equal to V_SMup to T_j= 110°C

Mechanical data

F_M

Mounting force

nom.

min.

90 kN

81 kN

max.

108 kN

Acceleration

Device unclamped

Device clamped

Weight

50 m/s²

100 m/s²

2.9 kg

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

53 mm

22 mm

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

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