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5STB25U5200

更新时间： 2024-09-25 03:04:35

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6页	437K
描述
Bi-Directional Control ThyristorBi-Directional Control Thyristor

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5STB25U5200 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X6
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-CXDB-X6	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	3100 A
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

5STB25U5200 数据手册

V_SM

I_T(AV)M

I_T(RMS)

I_TSM

V_T0

5200 V

1980 A

3100 A

Bi-Directional Control Thyristor

= 42×10 A

5STB 25U5200

1.06 V

0.219

Preliminary

r_T

mΩ

Doc. No. 5SYA1038-02 Jul. 03

• Two thyristors integrated into one wafer

• Patented free-floating silicon technology

• Designed for energy and industrial applications

• Optimum power handling capability

• Interdigitated amplifying gate.

The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device.

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Symbol

V_SM

Conditions

5STB 25U5200 5STB 25U5000 5STB 25U4600

f = 5 Hz, t_p= 10 ms

f = 50 Hz, t_p= 10 ms

Exp. to 0.67 x V_RM, T_vj= 110°C

5200 V

4400 V

5000 V

4200 V

4600 V

4000 V

V_RM

dV/dt_crit

2000 V/µs

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

I_RMV_RM, T_vj= 110°C

min

typ

max

400

Unit

Max. leakage current

V_RMis equal to the V_SMvalue up to T_j= 95 °C

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

160

Unit

m/s²

Mounting force

Acceleration

F_M

120

135

Device unclamped

Device clamped

Acceleration

Characteristic values

Parameter

100

Symbol Conditions

typ

max

3.6

Unit

Weight

Surface creepage distance D_S

Air strike distance D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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