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5STP06D2600

更新时间： 2024-02-10 00:57:06

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描述
Phase Control Thyristor

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5STP06D2600 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.66	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	400 mA	JESD-30 代码：	O-CEDB-X4
通态非重复峰值电流：	8000 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	590000 A
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	970 A
断态重复峰值电压：	2600 V	重复峰值反向电压：	2600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

5STP06D2600 数据手册

_DSM

I_TAVM

I_TRMS

I_TSM

_T0

2800 V

620 A

970 A

8000 A

0.92 V

Phase Control Thyristor

5STP 06D2800

0.780

mΩ

Doc. No. 5SYA1020-04 Sep. 01

•

Patented free-floating silicon technology

Low on-state and switching losses

Designed for traction, energy and industrial applications

Optimum power handling capability

Blocking

Conditions

5STP 06D2800 5STP 06D2600 5STP 06D2200

Part Number

V_DRM

V_RSM1

I_DRM

V_RRM

2800 V

3000 V

2600 V

2800 V

≤ 100 mA

2200 V

2400 V

f = 50 Hz, t_p= 10ms

t_p= 5ms, single pulse

V_DRM

T_j= 125°C

I_RRM

V_RRM

dV/dt_crit

1000 V/µs

Exp. to 0.67 x V_DRM, T_j= 125°C

Mechanical data

F_M

Mounting force

nom.

min.

10 kN

8 kN

max.

12 kN

Acceleration

Device unclamped

Device clamped

Weight

50 m/s²

100 m/s²

0.3 kg

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

25 mm

14 mm

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

12 3 4 5

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