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5STB24Q2800

更新时间： 2024-02-15 11:12:43

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ABB		三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
5页	169K
描述
Bi-Directional Control Thyristor

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5STB24Q2800 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

5STB24Q2800 数据手册

V_SM

I_TAVM

I_TRMS

I_TSM

V_T0

2800 V

2630 A

4130 A

Bi-Directional Control Thyristor

5STB 24Q2800

= 43000 A

0.85 V

0.160

r_T

mΩ

Doc. No. 5SYA1053-01 Sep. 01

• Two thyristors integrated into one wafer

• Patented free-floating silicon technology

• Designed for traction, energy and industrial applications

• Optimum power handling capability

• Interdigitated amplifying gate.

The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device.

Blocking

Conditions

Part Number

5STB 24Q2800

5STB 24Q2600

5STB 24Q2200

V_SM

V_RM

I_SM

I_RM

dV/dt_crit

3000 V

2800 V

2600 V

≤ 400 mA

1000 V/µs

2400 V

2200 V

f = 5 Hz, t_p= 10ms

f = 50 Hz,t_p= 10ms

V_SM

V_RM

@ Exp. to 0.67xV_SM

T_j= 125°C

V_RMis equal to V_SMup to T_j= 110°C

Mechanical data

F_M

Mounting force

nom.

min.

90 kN

81 kN

max.

108 kN

Acceleration

Device unclamped

Device clamped

Weight

50 m/s²

100 m/s²

2.1 kg

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

36 mm

15 mm

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

12 3 4 5

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