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5SMX12L2511

更新时间: 2022-04-23 23:00:11
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ABB 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
IGBT-Die

5SMX12L2511 数据手册

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5SMX 12L2511  
162  
135  
108  
81  
162  
135  
108  
81  
VCE = 20 V  
25 °C  
125 °C  
54  
54  
125 °C  
27  
27  
25 °C  
VGE = 15 V  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
VCE [V]  
VGE [V]  
Fig. 1  
Typical on-state characteristics  
Fig. 2  
Typical transfer characteristics  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
VCC = 1250 V  
RG = 33 ohm  
VGE = ±15 V  
Tvj = 125 °C  
Ls = 2.4 µH  
Eon  
Eoff  
Eoff  
Eon  
VCC = 1250 V  
IC = 54 A  
VGE = ±15 V  
Tvj = 125 °C  
Ls = 2.4 µH  
Esw [mJ] = 0.94 x 10-2 x IC + 1.36 x IC + 9.77  
2
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
0
27  
54  
81  
108  
135  
162  
RG [ohm]  
IC [A]  
Typical switching characteristics vs  
collector current  
Typical switching characteristics vs  
gate resistor  
Fig. 3  
Fig. 4  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA1640-00 Mar 07  
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