Datasheet > 晶体管 > IGBT> 40MT120UHTA

40MT120UHTA

更新时间： 2024-09-16 13:04:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
12页	330K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MTP, 13 PIN

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40MT120UHTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13
针数：	13	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X13
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	13	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	463 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

40MT120UHTA 数据手册

40MT120UHAPbF, 40MT120UHTAPbF

Vishay High Power Products

"Half Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A

FEATURES

• Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology

• Positive V_CE(on)temperature coefficient

• 10 μs short circuit capability

• Square RBSOA

• HEXFRED^®antiparallel diodes with ultrasoft reverse

recovery and low V_F

• Al₂O₃DBC

• Optional SMD thermistor (NTC)

• Very low stray inductance design for high speed operation

MTP

• UL approved file E78996

• Speed 8 kHz to 60 kHz

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Designed and qualified for industrial level

BENEFITS

• Optimized for welding, UPS and SMPS applications

PRODUCT SUMMARY

• Rugged with ultrafast performance

• Benchmark efficiency above 20 kHz

• Outstanding ZVS and hard switching operation

• Low EMI, requires less snubbing

V_CES

1200 V

3.36 V

80 A

V_CE(on)typical at V_GE= 15 V

I_Cat T_C= 25 °C

• Excellent current sharing in parallel operation

• Direct mounting to heatsink

• PCB solderable terminals

• Very low junction to case thermal resistance

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MAX.

1200

UNITS

Collector to emitter breakdown voltage

V_CES

T_C= 25 °C

Continuous collector current

I_C

T_C= 104 °C

Pulsed collector current

I_CM

I_LM

160

Clamped inductive load current

Diode continuous forward current

Diode maximum forward current

Gate to emitter voltage

I_F

T_C= 105 °C

I_FM

160

V_GE

V_ISOL

RMS isolation voltage

Any terminal to case, t = 1 min

T_C= 25 °C

2500

463

185

Maximum power dissipation (only IGBT)

P_D

T_C= 100 °C

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 94507

Revision: 01-Mar-10

For technical questions, contact: indmodules@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
40MT120UHTAPBF	VISHAY	获取价格	'Half Bridge' IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A
40MT140P	VISHAY	获取价格	Three Phase Bridge (Power Module), 45 A to 100 A
40MT140PA	INFINEON	获取价格	THREE PHASE BRIDGE
40MT140PAPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
40MT140PAPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
40MT140PB	INFINEON	获取价格	THREE PHASE BRIDGE
40MT140PBPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
40MT160APBF	VISHAY	获取价格	Three Phase Bridge (Power Module), 45 A to 100 A
40MT160BPBF	VISHAY	获取价格	Three Phase Bridge (Power Module), 45 A to 100 A
40MT160PA	INFINEON	获取价格	THREE PHASE BRIDGE

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