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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 13.5 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 22 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK196 | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK196XI-TL | RENESAS |
获取价格 |
35mA, 12V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 3SK196XI-UL | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK196XI-UR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK197 | ETC |
获取价格 |
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| 3SK197WI | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK199 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 3SK199TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK199TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK200 | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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