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3N163-2

更新时间： 2024-11-06 14:39:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AF

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3N163-2 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.75
外壳连接：SUBSTRATE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：0.05 A
最大漏源导通电阻：300 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：0.7 pFJEDEC-95代码：TO-206AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

3N163-2 数据手册

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3N163/3N164  
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors  
Product Summary  
Part  
Number  
V(BR)DSS Min  
(V)  
VGS(th)  
(V)  
rDS(on) Max  
ID(on) Min  
(mA)  
Crss Max  
(pF)  
tON Typ  
(ns)  
(W)  
3N163  
3N164  
–40  
–30  
–2 to –5  
–2 to –5  
250  
300  
–5  
–3  
0.7  
0.7  
18  
18  
Features  
Benefits  
Applications  
D Ultra-Low Input Leakage: 0.02 pA Typ. D High Input Impedance Isolation  
D Ultra-High Input Impedance Amplifier  
D High Gate Breakdown Voltage: "125 V D Minimize Handling ESD Problems D Smoke Detectors  
D Normally Off  
D High Off Isolation without Power D Electrometers  
D Analog Switching  
D Digital Switching  
Description  
The 3N163/164 are lateral p-channel MOSFETs designed The hermetic TO-206AF package is compatible with  
for analog switch and preamplifier applications where military processing per military standards (see Military  
high speed and low parasitic capacitances are required.  
information).  
TO-206AF  
(TO-72)  
D
S
1
4
3
2
G
Case  
Substrate  
Top View  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)  
(3N164) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -30 V  
DrainĆSource Voltage  
(3N163) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40 V  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C  
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C  
a
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375 mW  
GateĆSource Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "30 V  
Continuous Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50 mA  
Notes:  
1
Lead Temperature ( / ” from case for 10 seconds) . . . . . . . . . 300_C  
a. Derate 3 mW/_C above 25_C  
16  
Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70228.  
Siliconix  
1
P-37404—Rev. D, 04-Jul-94  
12345

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与3N163-2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
3N163-4 Linear Systems

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
3N163-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 50 mA, 40 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-206AF, ROHS COMPLIANT, HER
3N163-SOT-143-4L Linear

获取价格

 		Transistor,
3N163-TO-72-4L-ROHS Linear

获取价格

 		Transistor,
3N164 CALOGIC

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 		P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier Switch
3N164 INTERSIL

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 		N-CHANNEL JFET
3N164 NJSEMI

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 		(SINGLE, DUAL) MOS FET P-CHANNEL, ENHANCEMENT
3N164 MICROSS

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 		an enhancement mode P-Channel Mosfet
3N164 Linear Systems

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
3N164_TO-72 MICROSS

获取价格

 		an enhancement mode P-Channel Mosfet

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