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3N166

更新时间： 2024-02-22 09:29:59

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Linear Systems		晶体晶体管输入元件放大器
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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技术参数
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3N166 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.05 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-99
JESD-30 代码：	O-MBCY-W8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3N166 数据手册

3N165, 3N166

MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL

^{ENHANCEMENT MODE}MOSFET

Linear Integrated Systems

FEATURES

VERY HIGH INPUT IMPEDANCE

HIGH GATE BREAKDOWN

ULTRA LOW LEAKAGE

LOW CAPACITANCE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)

(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Drain-Source or Drain-Gate Voltage (NOTE 2)

3N165

3N166

Transient G-S Voltage (NOTE 3)

Gate-Gate Voltage

Drain Current (NOTE 2)

40 V

30 V

±125 V

±80 V

50 mA

Storage Temperature

Operating Temperature

Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)

Power Dissipation (One Side)

Total Derating above 25°C

-65°C to +200°C

-55°C to +150°C

+300°C

300 mW

4.2 mW/°C

TO-99

Bottom View

Device Schematic

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C and V_BS=0 unless otherwise specified)

LIMITS

SYMBOL

I_GSSR

CHARACTERISTICS

Gate Reverse Leakage Current

Gate Forward Leakage Current

MIN. MAX.

UNITS

CONDITIONS

-10

-25

-200

-400

-30

-5

V_GS= 40 V

V_GS= -40 V

T_A=+125°C

V_DS= -20 V

V_SD= -20 V

V_DS= -15 V

V_DS= V_GS

I_GSSF

I_DSS

Drain to Source Leakage Current

Source to Drain Leakage Current

On Drain Current

I_SDS

V_DB= 0

I_D(on)

V_GS(th)

r_DS(on)

g_fs

-5

-2

V_GS= -10 V

I_D= -10 µA

I_D= -100 µA

I_D= -10mA

Gate Source Threshold Voltage

Drain Source ON Resistance

Forward Transconductance

Output Admittance

-5

300

3000

300

3.0

0.7

3.0

ohms

µs

V_GS= -20 V

V_DS= -15V

1500

f=1kHz

g_os

µs

C_iss

Input Capacitance

C_rss

Reverse Transfer Capacitance

Output Capacitance

V_DS= -15V

(NOTE 4)

V_DS= -15V

(NOTE 4)

I_D= -10mA

f=1MHz

C_oss

R_E(Y_fs)

Common Source Forward Transconductance 1200

µs

f=100MHz

Linear Integrated Systems 4042 Clipper Ct., Fremont, CA 94538 TEL: (510) 490-9160 • FAX: (510) 353-0261

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