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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SUBSTRATE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| 最大漏源导通电阻： | 200 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 1.3 pF | JEDEC-95代码： | TO-72 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | CHOPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 3N170 | CALOGIC | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Switch |
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| 3N170 | Linear | N-CHANNEL MOSFET ENHANCEMENT MODE |
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| 3N170 | Linear Systems | N-CHANNEL MOSFET ENHANCEMENT MODE |
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| 3N170 | NJSEMI | MOSFET SWITCHING |
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| 3N170 | INTERSIL | N-CHANNEL JFET |
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| 3N170 | MICROSS | an enhancement mode N-Channel Mosfet |
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