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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.9 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.33 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 3N188 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 3N188 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 25V 0.03A |
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| 3N189 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 3N189 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 25V 0.03A |
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| 3N190 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 3N190 | MICROSS | a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet |
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