3N190

更新时间： 2024-01-20 19:45:35

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CALOGIC		晶体放大器小信号场效应晶体管输入元件
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2页	31K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier

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3N190 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-X7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
外壳连接：	SUBSTRATE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	0.05 A
最大漏源导通电阻：	300 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	1 pF	JESD-30 代码：	R-XUUC-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	P-CHANNEL	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3N190 数据手册

Dual P-Channel

Enhancement Mode MOSFET

General Purpose Amplifier

CORPORATION

3N190 / 3N191

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise specified)

Very High Input Impedance

High Gate Breakdown 3N190-3N191

Low Capacitance

•

Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 1)

•

3N190, 3N191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Transient Gate-Source Voltage (Note 1 and 2). . . . . . . ±125V

Gate-Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±80V

Drain Current (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation

PIN CONFIGURATION

One Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Both Sides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525mW

Total Derating above 25^oC. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2mW/^oC

TO-99

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

ORDERING INFORMATION

2506

Part

Package

Temperature Range

3N190-91 Hermetic TO-99

X3N190-91 Sorted Chips in Carriers

-55^oC to +150^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC and V_BS= 0 unless otherwise specified)

3N190/91

SYMBOL

I_GSSR

PARAMETER

Gate Reverse Current

UNITS

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

V_GS= 40V

_GS= -40V

-10

-25

I_GSSF

Gate Forward Current

T_A= +125^oC

BV_DSS

BV_SDS

Drain-Source Breakdown Voltage

Source-Drain Breakdown Voltage

I_D= -10µA

-40

I_S= -10µA, V_BD= 0

_DS= -15V, I_D= -10µA

-2.0

-3.0

-5.0

V_GS(th)

Threshold Voltage

V_DS= V_GS, I_D= -10µA

V_DS= -15V, I_D= -500µA

V_DS= -15V

V_GS

Gate Source Voltage

-6.5

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

Source Drain Current

-200

-400

300

I_SDS

V_SD= -15V, V_DB= 0

V_DS= -20V, I_D= -100µA

V_DS= -15V, V_GS= -10V

r_DS(on)

I_D(on)

Drain-Source on Resistance

On Drain Current

ohms

-5.0

-30.0

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