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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.91 | 外壳连接： | SUBSTRATE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 1.3 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-72 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3N158 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-72 |
|
| 3N158A | TI |
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30mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72 |
|
| 3N159 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-72 |
|
| 3N161 | INTERSIL |
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DIODE PROTECTED P-CHANNEL ENGANCEMENT MODE MOSFET GENERAL PUROPSE AMPLIFIER/SWITCH |
|
| 3N163 | CALOGIC |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier Switch |
|
| 3N163 | Linear Systems |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| 3N163 | MICROSS |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 40 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72, HERMETIC SEALED PACAKG |
|
| 3N163 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
|
| 3N163 | NJSEMI |
获取价格 |
(SINGLE, DUAL) MOS FET P-CHANNEL, ENHANCEMENT |
|
| 3N163(TO-72) | MICROSS |
获取价格 |
Transistor |
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