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3N155A

更新时间: 2024-09-15 20:05:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 斩波器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
30mA, 35V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72

3N155A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.89外壳连接:SUBSTRATE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:35 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A最大漏极电流 (ID):0.03 A
最大漏源导通电阻:300 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):1.3 pFJEDEC-95代码:TO-72
JESD-30 代码:O-MBCY-W4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:CHOPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

3N155A 数据手册

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