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2SK3994

更新时间： 2024-09-10 04:26:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电机驱动局域网
页数 文件大小 规格书
6页 255K
描述
Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter Applications Motor Drive Applications

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2SK3994 技术参数

生命周期：End Of Life零件包装代码：SC-67
包装说明：LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.35Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：487 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3994 数据手册

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2SK3994  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOS V)  
2SK3994  
Switching Regulator, DC/DC Converter Applications  
Unit: mm  
Motor Drive Applications  
z Low drain−source ON-resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 90 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 10 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= 100 μA (max) (V  
= 250 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 3.0 to 5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
250  
250  
±30  
20  
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
V
GSS  
DC (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
Pulse (Note 1)  
I
80  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
45  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
—
Single-pulse avalanche energy  
SC-67  
2-10R1B  
E
487  
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
Avalanche current  
I
20  
4.5  
A
Weight: 1.9 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.78  
62.5  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 2.06 mH, R = 25 Ω, I = 20 A  
AR  
V
DD  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-11-21  
123456

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