2SK3879

更新时间： 2024-09-25 04:26:35

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东芝 - TOSHIBA		晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3879 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	最大漏源导通电阻：	1.7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	19.5 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3879 数据手册

2SK3879

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSIV)

2SK3879

Switching Regulator Applications

Unit: mm

•

Low drain-source ON resistance: R

= 1.35 Ω (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 5.2 S (typ.)

Low leakage current: I

= 100 μA (max) (V

= 640 V)

DSS

Enhancement model: V = 2.0~4.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

800

±30

6.5

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse (Note 1)

19.5

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

375

JEDEC

JEITA

―

(Note 2)

Avalanche current

6.5

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

TOSHIBA

2-10S2B

150

Weight: 1.5 g (typ.)

Storage temperature range

stg

−55~150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and

Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Max

1.56

Unit

Thermal resistance, channel to case

°C/W

th (ch-c)

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 16.1 mH, R = 25 Ω, I = 6.5 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature.

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2006-11-13

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