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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3891-01R
2SK3891-01R PDF预览

2SK3891-01R

更新时间： 2024-09-26 07:32:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3891-01R 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：989 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：700 V
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3891-01R 数据手册

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2SK3891-01R  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
200407  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching, Low on-resistance  
Low driving power, Avalanche-proof  
No secondary breakdown  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
Ratings  
700  
Unit  
V
Remarks  
VDS  
VDSX  
ID  
700  
V
VGS=-30V  
Equivalent circuit schematic  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
Non-Repetitive  
17  
A
ID(puls]  
VGS  
±68  
A
Drain(D)  
±30  
V
Note *1  
Maximum Avalanche current  
Repetitive  
IAS  
17  
A
Gate(G)  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
IAR  
8.5  
A
Source(S)  
EAS  
989  
mJ  
Note *2  
Note *3  
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
<
Note *1:Tch 150°C  
=
EAR  
17.0  
mJ  
Note *2:StartingTch=25°C,IAS=6.8A,L=37.7mH,  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
VCC=100V,RG=50Ω  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
40  
5
<
kV/µs  
VDS 700V  
=
EAS limited by maximum channel temperature  
and Avalanche current.  
kV/µs Note *4  
170  
3.13  
+150  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
W
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Thermal impedance’  
graph.  
Operating and Storage  
Temperature range  
Isolation Voltage  
Tch  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150  
2
°C  
kVrms  
t=60sec f=60Hz  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt=50A/µs,VCC BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Min. Typ.  
700  
3.0  
Max. Units  
Item  
µ
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
µ
V
ID= 250 A  
5.0  
25  
µA  
Tch=25°C  
VDS=700V VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=560V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
ID=8.5A VGS=10V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Ω
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
0.47  
12  
0.60  
6.0  
ID=8.5A VDS=25V  
VDS=25V  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1750  
250  
13  
2625  
375  
pF  
VGS=0V  
Output Capacitance  
19.5  
f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
ns  
20  
30  
24  
90  
30  
69  
21  
26  
VCC=600V ID=8.5A  
VGS=10V  
16  
60  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
20  
46  
QG  
VCC=350V  
ID=17A  
nC  
Total Gate Charge  
14  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
17  
VGS=10V  
1.10  
1.50  
IF=17A VGS=0V Tch=25°C  
IF=17A VGS=0V  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
4
trr  
Qrr  
µs  
µC  
25  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
Thermal characteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
°C/W  
0.735  
Thermal resistance  
°C/W  
40.0  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3892 PANASONIC

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