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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3888-01MR
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2SK3888-01MR

更新时间： 2024-02-05 03:37:57
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3888-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：462.3 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3888-01MR 数据手册

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2SK3888-01MR  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
200406  
TO-220F  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Symbol  
Ratings  
600  
600  
9
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
VDS  
Drain(D)  
V
VDSX  
ID  
VGS=-30V  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±36  
±30  
9
V
Gate-Source Voltage  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
Gate(G)  
A
Note *1  
Note *2  
Source(S)  
mJ  
EAS  
462.3  
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
<
Note *1:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
mJ  
EAR  
6.0  
Note *3  
Note *2:StartingTch=25°C,IAS=3.6A,L=65.4mH,  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
VCC=60V,RG=50Ω  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
<
VDS 600V  
=
EAS limited by maximum channel temperature  
and avalanch current.  
Note *4  
60  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Theemal impedance’  
graph  
2.16  
+150  
Operating and Storage  
Temperature range  
Isolation Voltage  
Tch  
°C  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150  
2
t=60sec f=60Hz  
kVrms  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt=50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
V
Drain-Source Breakdown Voltaget  
Gate Threshold Voltage  
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
600  
µ
V
ID= 250 A  
3.0  
5.0  
25  
µA  
Tch=25°C  
VDS=600V VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=4.5A VGS=10V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transcondutance  
Input Capacitance  
0.82  
9.0  
950  
130  
6.0  
16  
6.0  
33  
5.5  
1.00  
Ω
4.5  
S
ID=4.5A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1425  
195  
pF  
Output Capacitance  
VGS=0V  
9.0  
24  
9.0  
50  
8.3  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
f=1MH  
ns  
VCC=300V ID=4.5A  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
25  
10  
38  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=300V  
ID=9A  
15  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
8.0  
1.10  
860  
7.0  
12.0  
VGS=10V  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=9A VGS=0V Tch=25°C  
IF=9A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
2.083 °C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
58  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
1234

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