5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3886-01MR | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 120V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK3887-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3888-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3889-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3889-01S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3889-01SJ | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK389 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AND DIFFERENTIAL AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK3891-01R | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3892 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel power MOSFET |
|
| 2SK3899 | TYSEMI |
获取价格 |
Low On-state resistance RDS(on)1 = 5.3m MAX.Low C iss: C iss = 5500 pF TYP. |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
