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2SK3892

更新时间： 2024-01-06 07:47:49

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	277K
描述
Silicon N-channel power MOSFET

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2SK3892 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	8.62
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	986 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.062 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	88 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3892 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Power MOSFETs

2SK3892

Silicon N-channel power MOSFET

For contactless relay, diving circuit for a solenoid,

driving circuit for a motor, control equipment and

switching power supply

 Package

ꢀCode

 Features

TO-220D-A1

ꢀPin Name

1: Gate

 Gate-source surrender voltage V_GSS: ± 30 guaranteed

 Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 986 mJ

 High-speed switching: t_f= 39 ns

2: Drain

3: Source

 Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

 Marking Symbol: K3892

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

200

±30

 Internal Connection

Peak drain current

I_DP

Avalanche energy capability ^*

EAS

986

°C

Drain power dissipation

P_D

T_j

T = 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

150

stg

–55 to +150

Note) : L = 2.67 mH, I = 22 A, V_DD= 50 V, 1 pulse

 Electrical Characteristics T_C= 25°C±3°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DSS

I_DSS

I_GSS

V_th

I_D= 1 mA, V_GS= 0

200

V_DS= 160 V, V_GS= 0

V_GS= ±30 V, V_DS= 0

V_DS= 10 V, I_D= 1.0 mA

±1.0

4.5

2.5

Drain-source ON resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 11.0A

V_DS= 10 V, I_D= 11.0A

Y_fs

Short-circuit input capacitance

(Common source)

C_iss

3177

456

Short-circuit output capacitance

(Common source)

C_oss

C_rss

V_DS= 25 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD= 100 V, I_D= 11.0A

R_L= 9.1 W, V_GS= 10 V

Turn-off delay time

Fall time

194

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: January 2009

SJG00043BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3899	TYSEMI	获取价格	Low On-state resistance RDS(on)1 = 5.3m MAX.Low C iss: C iss = 5500 pF TYP.
2SK3899	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3899	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3899(0)-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 60V 84A 5.3Mohm Mp-25Zk/To-263, MP-25ZK, /Embossed Tape
2SK3899(0)-ZK-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,84A I(D),TO-263
2SK3899(01)-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	2SK3899(01)-ZK-E1-AY
2SK3899(01)-ZK-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3899(01)-ZK-E1-AZ
2SK3899(02)-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	2SK3899(02)-ZK-E1-AY
2SK3899-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3899-ZK	RENESAS	获取价格	84A, 60V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN

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