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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-263, MP-25ZK, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.45 | 雪崩能效等级（Eas）： | 245 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 84 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 336 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3899-ZK-AZ | RENESAS |
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Nch Single Power MOSFET 60V 84A 5.3mohm MP-25ZK/TO-263 |
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| 2SK3899-ZK-E2-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,84A I(D),TO-263 |
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| 2SK389BL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 2.6MA I(DSS) | ZIP |
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| 2SK389-BL | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-10M1A, 7 PIN, FET General Purpo |
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| 2SK389GR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 2.6MA I(DSS) | ZIP |
|
| 2SK389-GR | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-10M1A, 7 PIN, FET General Purpo |
|
| 2SK389V | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 10MA I(DSS) | ZIP |
|
| 2SK389-V | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-10M1A, 7 PIN, FET General Purpo |
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| 2SK3900 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3900 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
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