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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 2086.9 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3885-01 | FUJI |
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TO-247 |
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| 2SK3886-01MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 120V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3887-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3888-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3889-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3889-01S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3889-01SJ | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK389 | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AND DIFFERENTIAL AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK3891-01R | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3892 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel power MOSFET |
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