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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK369 | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK369_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications |
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| 2SK3690-01 | SANYO |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3690-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3691-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3692-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3693-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3693-01MR | SANYO |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3694-01L | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3694-01S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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