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2SK3641

更新时间： 2024-01-31 11:05:29

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MOS Field Effect Transistor

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2SK3641 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	29 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SK3641 数据手册

SMD Type

MOSFICET

MOS Field Effect Transistor

2SK3641

TO-252

Unit: mm

+0.15

6.50

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

Features

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

Low on-state resistance

R^DS(on)1=14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18A)

R^DS(on)2=25 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A)

Low Ciss: Ciss = 930 pF TYP.

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

140

Power dissipation

T^C=25

T^A=25

P^D

1.0

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

I^DSS

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

VDS=30V,VGS=0

Gate leakage current

Gate cut off voltage

I^GSS

VGS= 20V,VDS=0

VDS=10V,ID=1mA

VDS=10V,ID=18A

VGS=10V,ID=18A

VGS=4.5V,ID=15A

V^GS(off)

1.5

5.5

2.5

Forward transfer admittance

Yfs

R^DS(on)1

RDS(on)2

Ciss

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Output capacitance

930

250

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

C^oss

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

C^rss

t^on

t^r

160

9.4

8.6

I^D=18A,VGS(on)=15V,RG=10 ,VDD=10V

Turn-off delay time

t^off

Fall time

Total Gate Charge

Q^G

VDD = 24V

V^GS= 10 V

I^D=36A

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Body Diode Forward Voltage Note

Q^GS

QGD

V^F(S-D)

3.6

7.4

1.0

IF = 36 A, VGS = 0 V

di/dt = 100 A/ ìs

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

trr

Qrr

www.kexin.com.cn

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