2SK3426G

更新时间： 2024-11-18 13:04:27

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	60K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00046A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN

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2SK3426G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	0.00046 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3426G 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK3426

Silicon N-Channel Junction

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

0.33

0.10

–0.02

For impedance conversion in low frequency

For electret capacitor microphone

I Features

+0.05

0.23

–0.02

• High mutual conductance g_m

• Low noise voltage of NV

(0.40)(0.40)

0.80 0.05

1.20 0.05

5˚

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Symbol

V_DSO

V_DGO

I_DSO

I_DGO

I_GSO

P_D

Rating

Unit

1: Drain

2: Source

3: Gate

Drain-source current

Drain-gate current

°C

SSSMini3-F1 Package

Gate-source current

Marking Symbol: 4E

Allowable power dissipation

Operating ambient temperature

Storage temperature

100

T_opr

−20 to +80

−55 to +125

T_stg

°C

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Drain current

Symbol

Conditions

Min

100

107

660

Typ

Max

330

310

Unit

I_D

V_DS= 2.0 V, R_D= 2.2 kΩ 1%

V_DS= 2.0 V, R_D= 2.2 kΩ 1%, V_GS= 0

V_D= 2.0 V, V_GS= 0, f = 1 kHz

µA

I_DSS

g_m

Mutual conductance

Noise voltage

1300

µS

V_D= 2.0 V, R_D= 2.2 kΩ 1%

C_O= 5 pF, A-Curve

µV

Voltage gain

G_V1

G_V2

V_D= 2.0 V, R_D= 2.2 kΩ 1%

C_O= 5 pF, e_G= 10 mV, f = 1 kHz

−8.5

−5.0

−9.0

−3.0

− 0.5

−3.5

V_D= 12 V, R_D= 2.2 kΩ 1%

C_O= 5 pF, e_G= 10 mV, f = 1 kHz

G_V3

V_D= 1.5 V, R_D= 2.2 kΩ 1%

C_O= 5 pF, e_G= 10 mV, f = 1 kHz

∆G_V. f^*2

V_D= 2.0 V, R_D= 2.2 kΩ 1%

1.5

C_O= 5 pF, e_G= 10 mV, f =1 kHz to 70 Hz

Voltage gain difference

G_V2− G_V1

G_V1− G_V3



4.0

1.5



Note) 1: I_Dis assured for I_DSS

2: ∆G . f is assured for AQL 0.065%. (the measurement method is used by source-grounded circuit.)

Publication date: April 2002

SJF00033AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3427	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel Junction
2SK3430	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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2SK3430(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,80A I(D),TO-263ABVAR
2SK3430(0)-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3430(0)-ZJ-AZ
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