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2SK3365-Z

更新时间： 2024-02-10 01:46:06
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 227K
描述
30000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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2SK3365-Z 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：36 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3365-Z 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3365  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
DESCRIPTION  
ORDERING INFORMATION  
The 2SK3365 is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for DC/DC converters application of notebook  
computers.  
PART NUMBER  
2SK3365  
PACKAGE  
TO-251 (MP-3)  
TO-252 (MP-3Z)  
2SK3365-Z  
FEATURES  
• Low on-resistance  
RDS(on)1 = 14 mΩ (MAX.) (VGS = 10 V, ID = 15 A)  
RDS(on)2 = 21 mΩ (MAX.) (VGS = 4.5 V, ID = 15 A)  
RDS(on)3 = 29 mΩ (MAX.) (VGS = 4.0 V, ID = 15 A)  
• Low Ciss : Ciss = 1300 pF (TYP.)  
• Built-in gate protection diode  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC)  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT  
30  
±20  
±30  
±120  
36  
V
V
A
Drain Current (Pulse) Note  
A
Total Power Dissipation (TC = 25 °C)  
Total Power Dissipation (TA = 25 °C)  
Channel Temperature  
W
W
°C  
PT  
1.0  
Tch  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
–55 to + 150 °C  
Note PW ≤ 10 μs, Duty cycle ≤ 1%  
THERMAL RESISTANCE  
Channel to case Thermal Resistance  
Channel to ambient Thermal Resistance  
Rth(ch-C)  
3.48  
125  
°C/W  
°C/W  
Rth(ch-A)  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No.  
D14255EJ4V0DS00 (4th edition)  
Date Published August 2006 NS CP(K)  
Printed in Japan  
1999  
The mark <R> shows major revised points.  
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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