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2SK3264-01MR

更新时间: 2024-10-13 22:36:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
12页 886K
描述
POWER MOSFET

2SK3264-01MR 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):378.3 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A
最大漏极电流 (ID):7 A最大漏源导通电阻:2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SK3264-01MR 数据手册

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