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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3271-01
2SK3271-01 PDF预览

2SK3271-01

更新时间： 2024-11-05 22:21:51
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 259K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK3271-01 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：387.4 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3271-01 数据手册

 浏览型号2SK3271-01的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK3271-01  
6,5mW  
±100A 155W  
Trench Gate MOSFET  
60V  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- Avalanche Rated  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
DC-DC converters  
-
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
60  
V
A
A
DS  
I
±100  
±400  
D
I
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
VGS  
+30 /-20  
490.4  
V
Maximum Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
E
mJ*  
W
AV  
P
155  
D
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
-55 ~ +150  
* L=0,65.4uH, VCC=24V  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
60  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
ID=10mA  
VDS=60V  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
2,5  
3,0  
1,0  
3,5  
V
GS(th)  
DSS  
100,0  
µA  
µA  
nA  
mW  
V
GS=0V  
10,0 500,0  
VGS=±30V  
ID=40A  
Gate Source Leakage Current  
I
10  
100  
6,5  
GSS  
VGS=40V  
Drain Source On-State Resistance  
R
5,0  
DS(on)  
ID=40A  
VDS=10V  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
C
C
C
t
25  
50  
9000  
1250  
700  
50  
S
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
fs  
VDS=25V  
iss  
oss  
rss  
d(on)  
r
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
VGS=10V  
ID=80A  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
t
200  
150  
135  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
d(off)  
f
t
RGS=10 W  
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
100  
AV  
SD  
rr  
IF=80A VGS=0V Tch=25°C  
IF=50A VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
1,0  
85  
1,5  
V
ns  
µC  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
0,25  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to ambient  
channel to case  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance  
R
35,0 °C/W  
th(ch-a)  
th(ch-c)  
R
0,806 °C/W  
 
12

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