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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-63 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3239STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK323-D | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK323-E | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK324 | ETC |
获取价格 |
2SK324 |
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| 2SK325 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
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| 2SK3254 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,10A I(D),TO-247VAR |
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| 2SK3262 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK3262-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK3264-01MR | FUJI |
获取价格 |
POWER MOSFET |
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| 2SK3265 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (CHOPPER GEGULATORS DC-DC CONVERTER, AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
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