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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3262-01MR
2SK3262-01MR PDF预览

2SK3262-01MR

更新时间： 2024-10-13 22:19:27
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

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2SK3262-01MR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3262-01MR 数据手册

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FUJI POWER MOS-FET  
2SK3262-01MR  
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET  
TO-220F15  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
2.54  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DC converters  
3. Source  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
ID  
Rating  
200  
±20  
±80  
±20  
355  
2
Unit  
V
Drain(D)  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
ID(puls]  
VGS  
EAV*1  
PD  
A
Gate-source voltage  
V
Maximum Avalanche Energy  
Max. power dissipation Ta=25  
mJ  
W
W
°C  
°C  
Gate(G)  
°C  
°C  
Source(S)  
Tc=25  
PD  
45  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
-55 to +150  
Tstg  
*1 L=1.6mH, Vcc=24V  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Item  
Test Conditions  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
ID=1mA  
ID=1mA  
VGS=0V  
V
200  
VDS=VGS  
V
1.0  
1.5  
10  
0.2  
2.0  
500  
0.5  
100  
Tch=25°C  
µA  
mA  
nA  
mΩ  
VDS=200V  
VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
VGS=±20V  
Gate-source leakage current  
VDS=0V  
10  
110  
85  
IGSS  
ID=10A VGS=4V  
ID=10A VGS=10V  
ID=10A VDS=25V  
Drain-source on-state resistance  
150  
100  
RDS(on)  
9.0  
19.0  
S
Forward transcondutance  
Input capacitance  
gfs  
1700  
290  
185  
10  
2550  
435  
280  
15  
VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=100V ID=20A  
45  
70  
VGS=10V  
ns  
225  
120  
340  
180  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
td(off)  
tf  
20  
A
Avalanche capability  
L=100µH Tch=25°C  
IAV  
0.93  
250  
2.90  
1.40  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=20A VGS=0V Tch=25°C  
IF=20A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
ns  
µC  
trr  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
2.78  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.5  
°C/W  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3264-01MR FUJI

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