是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SC-63 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.67 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A | 最大漏极电流 (ID): | 5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 250 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3148 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3148 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3148-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3149 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3149 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3149-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK315 | SANYO |
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N-Channel Junction Silicon Field-Effect Transistor(FM Tuner Applications) | |
2SK3150 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3150 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3150(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262AA |