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2SK3136

更新时间: 2024-11-08 22:52:55
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日立 - HITACHI 开关电源开关
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10页 54K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3136 数据手册

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2SK3136  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-696B (Z)  
3rd. Edition  
February 1999  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 4.5 mtyp.  
Low drive current  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
TO–220AB  
D
G
1. Gate  
2. Drain(Flange)  
3. Source  
1
2
3
S

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