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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3141-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3142 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3142 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3142-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3147 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3147 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3147(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251 |
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| 2SK3147(L)|2SK3147(S) | ETC |
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| 2SK3147(L)-2 | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK3147(L)-2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,5A I(D),TO-251VAR |
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