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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3124
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2SK3124

更新时间： 2024-10-02 22:52:55
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松下 - PANASONIC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK3124 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A最大漏极电流 (ID)：0.5 A
最大漏源导通电阻：23 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3124 数据手册

  
Power F-MOS FETs  
2SK3124  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed  
unit: mm  
● High-speed switching  
● No secondary breakdown  
● High electrostatic breakdown voltage  
6.5±0.1  
5.3±0.1  
4.35±0.1  
2.3±0.1  
0.5±0.1  
■ Applications  
● High-speed switching (switching power supply)  
1.0±0.1  
0.1±0.05  
● For high-frequency power amplification  
0.93±0.1  
0.5±0.1  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
0.75±0.1  
2.3±0.1  
4.6±0.1  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
400  
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±20  
V
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
±0.5  
A
1
2
3
Drain current  
IDP  
±1  
A
U Type Package  
EAS*  
0.25  
mJ  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
10  
PD  
W
1
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
*
L = 2mH, IL = 0.5A, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
VDS = 320V, VGS = 0  
10  
±1  
IGSS  
VGS = ±20V, VDS = 0  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
ID = 1mA, VGS = 0  
400  
1
Gate threshold voltage  
Vth  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 0.1A  
VDS = 10V, ID = 0.1A  
IDR = 0.1A, VGS = 0  
3
V
Drain to Source ON-resistance  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
RDS(on)  
| Yfs |  
VDSF  
17  
23  
Ω
100  
160  
mS  
V
−1.5  
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
48  
10  
5
pF  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz  
pF  
pF  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
65  
35  
40  
70  
ns  
VDD = 100V, ID = 0.1A  
ns  
Fall time  
tf  
VGS = 10V, RL = 1Ω  
ns  
Turn-off time (delay time)  
Thermal resistance between channel and case  
Thermal resistance between channel and atmosphere  
td(off)  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
ns  
12.5  
125  
°C/W  
°C/W  
1
1

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